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图解入门半导体系列(共四册:器件缺陷+元器件+设备基础与构造+制造工艺) 版权信息
- ISBN：2200059000388
- 条形码：2200059000381
- 装帧：平装
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
图解入门半导体系列(共四册:器件缺陷+元器件+设备基础与构造+制造工艺) 内容简介
本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到近期新研究，覆盖范围较广。本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理有效的图，其实是能带图。全书共7章，包括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和超大规模集成电路器件。在本书*后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射极电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏极电流ID饱和的解释。本书主要面向具有高中数理基础的半导体初学者，也可供半导体、芯片从业者阅读。《图解入门——半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）》以图解的方式深入浅出地讲述了半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为12章，包括半导体制造工艺全貌、前段制程概述、清洗和干燥湿法工艺、离子注入和热处理工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、成膜工艺、平坦化 （CMP）工艺、CMOS工艺流程、后段制程工艺概述、后段制程的趋势、半导体工艺的*新动向。本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对半导体制造工艺感兴趣的职场人士和学生等阅读参考。本书以简洁明了的结构向读者展现了半导体制造工艺中使用的设备基础和构造。全书涵盖了半导体制造设备的现状以及展望，同时对清洗和干燥设备、离子注入设备、热处理设备、光刻设备、蚀刻设备、成膜设备、平坦化设备、监测和分析设备、后段制程设备等逐章进行解说。虽然包含了很多生涩的词汇，但难能可贵的是全书提供了丰富的图片和表格，帮助读者进行理解。相信本书一定能带领读者进入一个半导体制造设备的立体世界。本书适合从事半导体与芯片加工、设计的从业者，以及准备涉足上述领域的上班族和学生阅读参考。此版本仅限在中国大陆地区（不包括香港、澳门特别行政区及台湾地区）销售。
图解入门半导体系列(共四册:器件缺陷+元器件+设备基础与构造+制造工艺) 目录
《图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲》
《图解入门——半导体元器件精讲》
《图解入门——半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）》
《图解入门——半导体制造设备基础与构造精讲 原书第3版》
《图解入门——半导体元器件精讲》
《图解入门——半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）》
《图解入门——半导体制造设备基础与构造精讲 原书第3版》
展开全部
图解入门半导体系列(共四册:器件缺陷+元器件+设备基础与构造+制造工艺) 作者简介
山本秀和，北海道大学研究生院工学研究科电气工学博士。在三菱电机从事Si-LSI及功率器件的研究开发。现任千叶工业大学教授，从事功率器件和功率器件产品的分析技术研究。曾任北海道大学客座教授、功率器件赋能协会理事、新金属协会硅晶体分析技术国际标准审议委员会委员长、新金属协会半导体供应链研究会副委员长等。上田修，东京大学工学部物理工学博士。1974—2005年，在富士通研究所(股份有限公司)从事半导体中晶格缺陷的分析以及半导体发光器件、电子器件劣化机制阐明的研究。2005—2019年，在金泽工业大学研究生院工学研究科任教授。现为明治大学客座教授。二川清，大阪大学研究生院基础工学研究科物理系工学博士。在NEC和NEC电子从事半导体可靠性和失效分析技术的实际业务和研究开发。曾任大阪大学特聘教授、金泽工业大学客座教授、日本可靠性学会副会长等职。现任芝浦工业大学兼职讲师。执行直之，国际电子技术与信息科学工程师学会会士（IEEE Fellow）。毕业于日本东北大学的工学研究科情报工学专业，并取得了博士学位（工学）。1980年进入东芝株式会社，2019年进入铠侠控股株式会社。专业领域为半导体器件的仿真以及器件设计。主要贡献为：研发了三维器件仿真工具，阐释并解决了器件微缩过程中的问题。构造了少数载流子迁移率等物理模型，使得器件仿真工具进一步实用化，对超大规模集成电路的实现做出了贡献。解决了一些静电放电（ESD）软件错误等相关的问题，对闪存的器件设计做出了贡献。此外还进行过功率半导体IGBT相关的研究。合著了《MOS集成电路的基础》（近代科学社出版）、《最新半导体制程 器件 仿真技术》（REALIZE出版社出版）等书籍。自2001年，为神奈川大学工学部兼课讲师一职。自2004年开始的两年间，曾任东京工业大学大学院兼课讲师一职。曾任日本东北大学大学院客座教授一职。自2017年开始的两年间，曾任东京工业大学研究员一职。佐藤淳一京都大学工学研究生院硕士。1978年，加入东京电气化学工业股份有限公司（现TDK）；1982年，加入索尼股份有限公司。一直从事半导体和薄膜设备，以及工艺技术的研发工作。期间，在半导体尖端技术（Selete）创立之时被借调，担任长崎大学工学部兼职讲师、半导体行业委员会委员。
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