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微波器件电磁损伤规律研究 版权信息
- ISBN：9787030591128
- 条形码：9787030591128 ; 978-7-03-059112-8
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
微波器件电磁损伤规律研究 内容简介
本书由浅入深、系统地介绍了几种常用的微波半导体器件的电磁损伤机理。首先介绍了几种微波半导体器件基础知识和典型的电磁脉冲及其效应，然后重点通过仿真分析和实验分析介绍了几种微波半导体器件的电磁损伤机理，*后简要介绍了几种半导体器件电磁损伤模型。
微波器件电磁损伤规律研究 目录
目录前言第1章 概述 11.1微波器件简介 11.2国内外研究动态 31.2.1国外研究现状 41.2.2国内研究现状 8第2章 典型微波半导体器件介绍 112.1 PN结二极管 112.1.1基本结构 112.1.2零偏 122.1.3反偏 182.1.4PN结电流 222.1.5结击穿 302.2双极型晶体管 332.2.1基本结构 332.2.2放大工作状态 342.2.3电流增益 352.3肖特基接触场效应晶体管 372.3.1基本结构 382.3.2夹断电压和阈值电压 392.3.3电流一电压特性 402.3.4截止频率 442.4金属氧化物场效应晶体管 462.4.1基本结构和T作原理 462.4.2非平衡状态 482.4.3阈值电压 492.4.4电流基本特性 51第3章 微波半导体器件电磁损伤机理 603.1典型电磁脉冲及其效应 603.1.1静电放电电磁脉冲 603.1.2雷电电磁脉冲 613.1.3核电磁脉冲 633 .1.4高功率微波 683.1.5超宽带电磁脉冲 693.1.6快沿方波 733.2微波半导体器件的失效模式 753 .2.1明显失效 753 .2.2潜在性失效 793.3微波半导体器件的损伤机理 793 .3.1热二次击穿与体击穿 803 .3.2金属导电层熔融 893 .3.3氧化层和介质击穿 903.4微波半导体器件的失效判据 913 .4.1负微分电阻判据 913.4.2失效时间判据 923 .4.3热击穿判据 93第4章 典型微波半导体器件电磁损伤仿真 944.1器件仿真软件简介 944.2 PIN二极管电磁损伤仿真 954.2.1 PIN二极管仿真建模 954.2.2PIN二极管电热耦合分析计算流程 964.2.3反向大电压作用下PIN管仿真分析 974.3双极型晶体管电磁损伤仿真 1034.3.1双极型品体管仿真建模 1034.3.2驭极型品体管仿真分析 1044.4金属氧化物场效应晶体管电磁损伤仿真 1194.4.1金属氧化物场效应品体管仿真建模 1194.4.2金属氧化物场效应品体管仿真分析 1214.5肖特基接触场效应晶体管电磁损伤仿真 1334.5.1肖特基接触场效应品体管的结构特征和工作原理 1334.5.2肖特基接触场效应品体管建模 1344.5.3肖特基接触场效应品体管仿真 136第5章 微波半导体器件损伤试验 1505.1试验设备及夹具 1505.1.1试验设备 1505.1.2试验夹具 1535.2试验方法 1635.3典型微波半导体器件试验和结果分析 1645.3.1ESD注入试验 1645.3.2ESD注入试验结果分析 1675.3.3方波脉冲注入试验 1815.3.4方波注入试验结果与分析 1 83第6章 微波半导体器件损伤建模 1956.1旺希一贝尔模型 1956.2电热物理模型 1986.3基于范数的损伤模型 2016.3.1范数的数学概念简述 2016.3.2典型的电磁范数 2026.3.3杜哈梅尔积分 2046.3.4电磁脉冲效应中范数分析方法 204参考文献 209
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