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图解入门半导体系列(共四册:器件缺陷+元器件+设备基础与构造+制造工艺)

作者：山本秀和上田修二川清执行直之佐藤淳一

出版社：其他出版时间：2024-06-01

开本： 16开

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版权信息
内容简介

图解入门半导体系列(共四册:器件缺陷+元器件+设备基础与构造+制造工艺) 版权信息

ISBN：2200059000388
条形码：2200059000381
装帧：暂无
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：

图解入门半导体系列(共四册:器件缺陷+元器件+设备基础与构造+制造工艺) 内容简介

本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到近期新研究，覆盖范围较广。本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理有效的图，其实是能带图。全书共7章，包括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和超大规模集成电路器件。在本书*后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射极电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏极电流ID饱和的解释。本书主要面向具有高中数理基础的半导体初学者，也可供半导体、芯片从业者阅读。《图解入门——半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）》以图解的方式深入浅出地讲述了半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为12章，包括半导体制造工艺全貌、前段制程概述、清洗和干燥湿法工艺、离子注入和热处理工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、成膜工艺、平坦化（CMP）工艺、CMOS工艺流程、后段制程工艺概述、后段制程的趋势、半导体工艺的*新动向。本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对半导体制造工艺感兴趣的职场人士和学生等阅读参考。本书以简洁明了的结构向读者展现了半导体制造工艺中使用的设备基础和构造。全书涵盖了半导体制造设备的现状以及展望，同时对清洗和干燥设备、离子注入设备、热处理设备、光刻设备、蚀刻设备、成膜设备、平坦化设备、监测和分析设备、后段制程设备等逐章进行解说。虽然包含了很多生涩的词汇，但难能可贵的是全书提供了丰富的图片和表格，帮助读者进行理解。相信本书一定能带领读者进入一个半导体制造设备的立体世界。本书适合从事半导体与芯片加工、设计的从业者，以及准备涉足上述领域的上班族和学生阅读参考。此版本仅限在中国大陆地区（不包括香港、澳门特别行政区及台湾地区）销售。

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