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清华开发者书库深入理解微电子电路设计——电子元器件、数字电路、模拟电路原理及应用(原书第5版)

作者：[美]理查德·C.耶格（Richa

出版社：清华大学出版社出版时间：2020-06-01

开本：其他页数： 1369

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清华开发者书库深入理解微电子电路设计——电子元器件、数字电路、模拟电路原理及应用(原书第5版) 版权信息

ISBN：9787302546948
条形码：9787302546948 ; 978-7-302-54694-8
装帧：平装-胶订
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：
工业技术
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清华开发者书库深入理解微电子电路设计——电子元器件、数字电路、模拟电路原理及应用(原书第5版) 本书特色

本书系统论述了微电子电路的基本知识及其应用，全书共分为18章，涵盖了固态电子学与器件、数字电路和模拟电路三部分知识体系。通过本书的学习，读者可以全面了解现代电子设计的基本技术、模拟电路和数字电路及分立电路和集成电路。在本书固态电子学与器件部分，主要介绍了电子学的基本原理、固态电子学基础、二极管的iv特性及晶体管的SPICE模型等内容，给出了电路设计中常用的*差情况分析、蒙特卡洛分析等主要分析方法。在数字电路部分，着重讲解了逻辑电路的基本概念，NMOS、CMOS、MOS存储电路及双极型数字逻辑电路。模拟电路部分，从放大器入手，详细介绍了放大器相关概念、二端口模型、反馈放大器频率响应、小信号建模、单晶体管放大器、差分放大器、反馈放大器及振荡器等内容。
通过本书的学习，读者可以掌握微电子电路相关的概念和知识，学会电路分析及电路设计方法。书中给出了大量的设计实例及练习供读者学习与实践。本书可以作为电子信息类、电气类专业本科生或研究生的专业教材或参考书，也可以作为从事固态电子学与器件、数字电路和模拟电路设计或开发的工程技术人员的参考书。

清华开发者书库深入理解微电子电路设计——电子元器件、数字电路、模拟电路原理及应用(原书第5版) 内容简介

A broad spectrum of topics are included in Microelectronic Circuit Design which gives the professor the option to easily select and customize the material to satisfy a two-semester or three-quarter sequence in electronics. Jaeger/Blalock emphasizes design through the use of design examples and design notes.

清华开发者书库深入理解微电子电路设计——电子元器件、数字电路、模拟电路原理及应用(原书第5版) 目录

**部分固态电子学与器件第1章电子学简介 1.1电子学发展简史：从真空管到吉规模集成电路 1.2电信号的分类 1.2.1数字信号 1.2.2模拟信号 1.2.3A/D和D/A转换器——模拟与数字信号的桥梁 1.3符号约定 1.4问题求解的方法 1.5电路理论的主要概念 1.5.1分压和分流 1.5.2戴维南定理和诺顿定理 1.6电信号的频谱 1.7放大器 1.7.1理想运算放大器 1.7.2放大器频率响应 1.8电路设计中元件参数的变化 1.8.1容差的数学模型 1.8.2*差情况分析 1.8.3蒙特卡洛分析 1.8.4温度系数 1.9数值精度小结关键词参考文献扩展阅读习题第2章固态电子学 2.1固态电子材料 2.2共价键模型 2.3半导体中的漂移电流和迁移率 2.3.1漂移电流 2.3.2迁移率 2.3.3速度饱和 2.4本征硅的电阻率 2.5半导体中的杂质 2.5.1硅中的施主杂质 2.5.2硅中的受主杂质 2.6掺杂半导体中的电子和空穴浓度 2.6.1n型材料(ND>NA) 2.6.2p型材料(NA>ND) 2.7掺杂半导体中的迁移率和电阻率 2.8扩散电流 2.9总电流 2.10能带模型 2.10.1本征半导体中电子空穴对的产生 2.10.2掺杂半导体的能带模型 2.10.3补偿半导体 2.11集成电路制造综述小结关键词参考文献补充阅读习题第3章固态二极管和二极管电路 3.1pn结二极管 3.1.1pn结静电学 3.1.2二极管内部电流 3.2二极管的iv特性 3.3二极管方程：二极管的数学模型 3.4二极管特性之反偏、零偏和正偏 3.4.1反偏 3.4.2零偏 3.4.3正偏 3.5二极管的温度系数 3.6反偏下的二极管 3.6.1实际二极管的饱和电流 3.6.2反向击穿 3.6.3击穿区的二极管模型 3.7pn结电容 3.7.1反偏 3.7.2正偏 3.8肖特基势垒二极管 3.9二极管的SPICE模型及版图 3.9.1二极管的版图 3.10二极管电路分析 3.10.1负载线分析法 3.10.2二极管数学模型分析法 3.10.3理想二极管模型 3.10.4恒压降模型 3.10.5模型比较与讨论 3.11多二极管电路 3.12二极管工作在击穿区域的分析 3.12.1负载线分析 3.12.2分段线性模型分析 3.12.3稳压器 3.12.4包含齐纳电阻的电路分析 3.12.5线性调整率和负载调整率 3.13半波整流电路 3.13.1带负载电阻的半波整流器 3.13.2整流滤波电容 3.13.3带RC负载的半波整流器 3.13.4纹波电压和导通期 3.13.5二极管电流 3.13.6浪涌电流 3.13.7额定峰值反向电压 3.13.8二极管功耗 3.13.9输出负电压的半波整流器 3.14全波整流电路 3.14.1输出负电压的全波整流器 3.15全波桥式整流 3.16整流器的比较及折中设计 3.17二极管的动态开关行为 3.18光电二极管、太阳能电池和发光二极管 3.18.1光电二极管和光探测器 3.18.2太阳能电池 3.18.3发光二极管（LED）小结关键词参考文献扩展阅读习题第4章场效应晶体管 4.1MOS电容特性 4.1.1积累区 4.1.2耗尽区 4.1.3反型区 4.2NMOS晶体管 4.2.1NMOS晶体管的iv特性的定性描述 4.2.2NMOS晶体管的线性区特性 4.2.3导通电阻 4.2.4跨导 4.2.5iv特性的饱和 4.2.6饱和（夹断）区的数学模型 4.2.7饱和跨导 4.2.8沟道长度调制 4.2.9传输特性及耗尽型MOSFET 4.2.10体效应或衬底灵敏度 4.3PMOS晶体管 4.4MOSFET电路符号 4.5MOS晶体管的电容 4.5.1NMOS晶体管的线性区电容 4.5.2饱和区电容 4.5.3截止区电容 4.6SPICE中的MOSFET建模 4.7MOS晶体管的等比例缩放 4.7.1漏极电流 4.7.2栅极电容 4.7.3电流和功率密度 4.7.4功耗延迟积 4.7.5截止频率 4.7.6大电场限制 4.7.7包含高场限制的统一MOS晶体管模型 4.7.8亚阈值导通 4.8MOS晶体管的制造工艺及版图设计规则 4.8.1*小特征尺寸和对准容差 4.8.2MOS晶体管的版图 4.9NMOS场效应管的偏置 4.9.1为什么需要偏置 4.9.2四电阻偏置 4.9.3恒定栅源电压偏置 4.9.4Q点的图形分析 4.9.5包含体效应的分析 4.9.6使用统一模型进行分析 4.10PMOS场效应晶体管的偏置 4.11结型场效应管（JFET） 4.11.1偏压下的JFET 4.11.2漏源偏置下的JFET沟道 4.11.3n沟道JFET的iv特性 4.11.4p沟道JFET 4.11.5JFET的电路符号和模型小结 4.11.6JFET电容 4.12JFET的SPICE模型 4.13JFET和耗尽型MOSFET的偏置小结关键词参考文献习题第5章双极型晶体管 5.1双极型晶体管的物理结构 5.2npn晶体管的传输模型 5.2.1正向特性 5.2.2反向特性 5.2.3任意偏置条件下晶体管传输模型方程 5.3pnp晶体管 5.4晶体管传输模型的等效电路 5.5双极型晶体管的iv特性 5.5.1输出特性 5.5.2传输特性 5.6双极型晶体管的工作区 5.7传输模型的简化 5.7.1截止区的简化模型 5.7.2正向有源区的模型简化 5.7.3双极型集成电路中的二极管 5.7.4反向有源区的简化模型 5.7.5饱和区模型 5.8双极型晶体管的非理想特性 5.8.1结击穿电压 5.8.2基区的少数载流子传输 5.8.3基区传输时间 5.8.4扩散电容 5.8.5共发电流增益对频率的依赖性 5.8.6Early效应和Early电压 5.8.7Early效应的建模 5.8.8Early效应的产生原因 5.9跨导 5.10双极型工艺与SPICE模型 5.10.1定量描述 5.10.2SPICE模型方程 5.10.3高性能双极型晶体管 5.11BJT的实际偏置电路 5.11.1四电阻偏置网络 5.11.2四电阻偏置网络的设计目标 5.11.3四电阻偏置电路的迭代分析 5.12偏置电路的容差 5.12.1*差情况分析 5.12.2蒙特卡洛分析小结关键词参考文献习题第二部分数字电路第6章数字电路简介 6.1理想逻辑门 6.2逻辑电平定义和噪声容限 6.2.1逻辑电压电平 6.2.2噪声容限 6.2.3逻辑门的设计目标 6.3逻辑门的动态响应 6.3.1上升和下降时间 6.3.2传输延迟 6.3.3功耗延迟积 6.4布尔代数回顾 6.5NMOS逻辑设计 6.5.1带负载电阻的NMOS反相器 6.5.2开关晶体管MS的W/L比设计 6.5.3负载电阻设计 6.5.4负载线的可视化 6.5.5开关器件的导通电阻 6.5.6噪声容限分析 6.5.7VIL和VOH的计算 6.5.8 VIH和VOL的计算 6.5.9电阻器负载反相器噪声容限 6.5.10负载电阻问题 6.6晶体管替代负载电阻方案 6.6.1NMOS饱和负载反相器 6.6.2带线性负载设备的NMOS反相器 6.6.3带耗尽型负载的NMOS反相器 6.7NMOS反相器小结与比较 6.8速度饱和对静态设计的影响 6.8.1开关晶体管设计 6.8.2负载晶体管设计 6.8.3速度饱和影响小结 6.9NMOS与非门和或非门 6.9.1或非门 6.9.2与非门 6.9.3NMOS耗尽型工艺中的或非门及与非门布局 6.10复杂NMOS逻辑设计 6.11功耗 6.11.1静态功耗 6.11.2动态功耗 6.11.3MOS逻辑门的功率缩放 6.12MOS逻辑门的动态特性 6.12.1逻辑电路中的电容 6.12.2带电阻性负载的NMOS反相器的动态响应 6.12.3NMOS反相器延迟比较 6.12.4速度饱和对反相器延迟的影响 6.12.5基于参考电路仿真的缩放 6.12.6固有门延迟的环形振荡器测量法 6.12.7无负载反相器的延迟 6.13PMOS逻辑 6.13.1PMOS反相器 6.13.2与非门和或非门小结关键词参考文献补充阅读习题第7章 CMOS逻辑电路设计 7.1CMOS反相器 7.1.1CMOS反相器版图 7.2CMOS反相器的静态特性 7.2.1CMOS电压传输特性 7.2.2CMOS反相器的噪声容限 7.3CMOS反相器的动态特性 7.3.1传播延迟估计 7.3.2上升和下降时间 7.3.3按性能等比例缩放 7.3.4速度饱和效应对CMOS反相器延迟的影响 7.3.5级联反相器延迟 7.4CMOS功耗及功耗延迟积 7.4.1静态功耗 7.4.2动态功耗 7.4.3功耗延迟积 7.5CMOS或非门和与非门 7.5.1CMOS或非门 7.5.2CMOS与非门 7.6CMOS复杂门电路设计 7.7逻辑门的*小尺寸设计及性能 7.8级联缓冲器 7.8.1级联缓冲器延迟模型 7.8.2*优级数 7.9CMOS传输门 7.10双稳态电路 7.10.1双稳态锁存器 7.10.2RS触发器 7.10.3采用传输门的D锁存器 7.10.4主从D触发器 7.11CMOS闩锁效应小结关键词参考文献扩展阅读习题第8章 MOS存储器及其电路 8.1随机存取存储器（RAM） 8.1.1RAM存储器架构 8.1.2256MB存储器芯片 8.2静态存储器单元电路 8.2.1内存单元的隔离和访问6T单元 8.2.2读操作 8.2.3向6T单元写数据 8.3动态存储单元电路 8.3.11T单元电路 8.3.21T单元的数据存储 8.3.31T单元的数据读取 8.3.44T单元电路 8.4感测放大器 8.4.16T单元的感测放大器 8.4.21T单元的感测放大器 8.4.3升压字线电路 8.4.4钟控CMOS感测放大器 8.5地址译码器 8.5.1或非门译码器 8.5.2与非门译码器 8.5.3传输管列译码器 8.6只读存储器(ROM) 8.7闪存 8.7.1浮栅技术 8.7.2NOR电路实现 8.7.3NAND电路实现小结关键词参考文献习题第9章双极型逻辑电路 9.1电流开关(发射极耦合对) 9.1.1电流开关静态特性的数学模型 9.1.2对于VI>VREF的电流开关分析 9.1.3VI 9.2发射极耦合逻辑（ECL）门 9.2.1VI = VH时的ECL门 9.2.2VI=VL时的ECL门 9.2.3ECL门的输入电流 9.2.4ECL小结 9.3ECL门的噪声容限分析 9.3.1VIL、VOH、VIH和VOL 9.3.2噪声容限 9.4电流源的实现 9.5ECL或或非门 9.6射极跟随器 9.6.1带有负载电阻的射极跟随器 9.7“发射极点接”或“线或”逻辑 9.7.1射极跟随器输出的并联连接 9.7.2线或逻辑函数 9.8ECL功耗延迟特性 9.8.1功耗 9.8.2门延迟 9.8.3功耗延迟积 9.9正射极耦合逻辑电平（PECL） 9.10电流模逻辑（CML） 9.10.1CML逻辑门 9.10.2CML逻辑电平 9.10.3VEE供电电压 9.10.4高电平CML 9.10.5降低CML功耗 9.10.6源极耦合FET逻辑（SCFL） 9.11饱和双极型反相器 9.11.1静态反相器特性 9.11.2双极型晶体管的饱和电压 9.11.3负载线可视化 9.11.4饱和BJT的开关特性 9.12晶体管晶体管逻辑（TTL） 9.12.1VI =VL时的TTL反相器分析 9.12.2VI= VH时的TTL反相器分析 9.12.3功耗 9.12.4TTL传播延迟和功率延迟积 9.12.5TTL的电压传输特性和噪声容限 9.12.6标准TTL的扇出限制 9.13TTL中的逻辑函数 9.13.1多发射极输入晶体管 9.13.2TTL与非门 9.13.3输入钳位二极管 9.14肖特基钳位TTL 9.15ECL和TTL的功耗延迟对比 9.16BiCMOS逻辑 9.16.1BiCMOS缓冲器 9.16.2BiNMOS反相器 9.16.3BiCMOS逻辑门小结关键词参考文献补充阅读习题第三部分模拟电路第10章模拟系统和理想运算放大器 10.1模拟电子系统示例 10.2放大作用 10.2.1电压增益 10.2.2电流增益 10.2.3功率增益 10.2.4分贝 10.3放大器的二端口模型 10.3.1g参数 10.4源和负载电阻的失配 10.5运算放大器简介 10.5.1差分放大器 10.5.2差分放大器的电压传输特性 10.5.3电压增益 10.6放大器的失真 10.7差分放大器模型 10.8理想差分放大器和运算放大器 10.8.1理想运算放大器分析中的假设 10.9理想运算放大器电路的分析 10.9.1反相放大器 10.9.2互阻放大器——电流/电压转换器 10.9.3同相放大器 10.9.4单位增益缓冲器或电压跟随器 10.9.5求和放大器 10.9.6差分放大器 10.10反馈放大器的频率特性 10.10.1伯德图 10.10.2低通放大器 10.10.3高通放大器 10.10.4带通放大器 10.10.5有源低通滤波器 10.10.6有源高通滤波器 10.10.7积分器 10.10.8微分器小结关键词参考文献补充阅读习题第11章非线性运算放大器和反馈放大器的稳定性 11.1经典反馈系统 11.1.1闭环增益分析 11.1. 2增益误差 11.2含有非理想运算放大器的电路分析 11.2.1有限开环增益 11.2.2非零输出电阻 11.2.3有限输入电阻 11.2.4非理想反相和同相放大器小结 11.3串联反馈和并联反馈电路 11.3.1反馈放大器类型 11.3.2电压放大器——电压串联反馈 11.3.3跨阻放大器——电压并联反馈 11.3.4电流放大器——电流并联反馈 11.3.5跨导放大器——电流串联反馈 11.4反馈放大器计算的统一方法 11.4.1闭环增益分析 11.4.2利用Blackman理论计算电阻 11.5电压串联反馈放大器——电压放大器 11.5.1闭环增益计算 11.5.2输入电阻计算 11.5.3输出电阻计算 11.5.4电压串联反馈放大器小结 11.6电压并联反馈放大器——跨阻放大器 11.6.1闭环增益分析 11.6.2输入电阻计算 11.6.3输出电阻计算 11.6.4电压并联反馈放大器小结 11.7电流串联反馈放大器——跨导放大器 11.7.1闭环增益计算 11.7.2输入电阻计算 11.7.3输出电阻计算 11.7.4电流串联反馈放大器小结 11.8电流并联反馈放大器——电流放大器 11.8.1闭环增益计算 11.8.2输入电阻计算 11.8.3输出电阻计算 11.8.4电流并联反馈放大器总结 11.9使用持续电压和电流注入法计算回路增益 11.9.1简化 11.10利用反馈减小失真 11.11直流误差源和输出摆幅限制 11.11.1输入失调电压 11.11.2失调电压调节 11.11.3输入偏置电流和输入失调电流 11.11.4输出电压和电流限制 11.12共模抑制比和输入电阻 11.12.1有限共模抑制比 11.12.2共模抑制比的重要性 11.12.3由CMRR产生的电压跟随器增益误差 11.12.4共模输入电阻 11.12.5CMRR的另一种解释 11.12.6电源抑制比 11.13运算放大器的频率响应和带宽 11.13.1同相放大器的频率响应 11.13.2反相放大器的频率响应 11.13.3利用反馈控制频率响应 11.13.4大信号限制——摆率和满功率带宽 11.13.5运算放大器频率响应的宏模型 11.13.6运算放大器的SPICE宏模型 11.13.7通用运算放大器实例 11.14反馈放大器的稳定性 11.14.1奈奎斯特图 11.14.2一阶系统 11.14.3二阶系统和相位裕度 11.14.4阶跃响应和相位裕度 11.14.5三阶系统和增益裕度 11.14.6根据伯德图判断稳定性小结关键词参考文献习题第12章运算放大器应用 12.1级联放大器 12.1.1二端口表示 12.1.2放大器专有名词回顾 12.1.3级联放大器的频率响应 12.2仪表放大器 12.3有源滤波器 12.3.1低通滤波器 12.3.2带增益的高通滤波器 12.3.3带通滤波器 12.3.4灵敏度 12.3.5幅值和频率缩放 12.4开关电容电路 12.4.1开关电容积分器 12.4.2同相SC积分器 12.4.3开关电容滤波器 12.5数/模转换 12.5.1数/模转换器基础 12.5.2数/模转换器误差 12.5.3数/模转换电路 12.6模/数转换 12.6.1模/数转换器基础 12.6.2模/数转换器误差 12.6.3基本模/数转换技术 12.7振荡器 12.7.1振荡的巴克豪森准则 12.7.2带频率选择RC网络的振荡器 12.8非线性电路的应用 12.8.1精密半波整流器 12.8.2非饱和的精准整流电路 12.9正反馈电路 12.9.1比较器和施密特触发器 12.9.2非稳态多谐振荡器 12.9.3单稳态多谐振荡器或单稳态电路小结关键词参考文献习题第13章小信号建模与线性放大 13.1晶体管放大器 13.1.1BJT放大器 13.1.2MOSFET放大器 13.2耦合电容和旁路电容 13.3用直流和交流等效电路进行电路分析 13.3.1直流和交流分析步骤 13.4小信号模型简介 13.4.1二极管小信号行为的图形解释 13.4.2二极管的小信号建模 13.5双极型晶体管的小信号模型 13.5.1混合π模型 13.5.2图解跨导 13.5.3小信号电流增益 13.5.4BJT的固有电压增益 13.5.5小信号模型的等效形式 13.5.6简化的混合π模型 13.5.7双极型晶体管的小信号定义 13.5.8pnp晶体管的小信号模型 13.5.9用SPICE进行交流分析和瞬态分析的对比 13.6共射极放大器 13.6.1端电压增益 13.6.2输入电阻 13.6.3信号源电压增益 13.7重要限制及模型简化 13.7.1共射极放大器的设计指导 13.7.2共射极增益的上限 13.7.3共射极放大器的小信号限制 13.8场效应晶体管的小信号模型 13.8.1MOSFET的小信号模型 13.8.2MOSFET的本征电压增益 13.8.3MOSFET小信号工作的定义 13.8.4四端MOSFET中的体效应 13.8.5PMOS晶体管的小信号模型 13.8.6结型场效应晶体管(JFET)的小信号模型 13.9BJT和FET小信号模型小结与对比 13.10共源极放大器 13.10.1共源极端电压增益 13.10.2共源极放大器的信号源电压增益 13.10.3共源极放大器的设计指导 13.10.4共源极放大器的小信号限制 13.10.5共射极放大器和共源极放大器的输入电阻 13.10.6共射极和共源极的输出电阻 13.10.7三个放大器实例的比较 13.11共射极放大器和共源极放大器小结 13.11.1可忽略晶体管输出电阻的指南 13.12放大器功率和信号范围 13.12.1功耗 13.12.2信号范围小结关键词习题第14章单晶体管放大器 14.1放大器分类 14.1.1双极型晶体管的信号注入和抽取 14.1.2场效应管的信号注入和抽取 14.1.3共发射极(CE)和共源极(CS) 放大器 14.1.4共集电极(CC)和共漏极(CD) 拓扑图 14.1.5共基极(CB)和共栅极(CG) 放大器 14.1.6小信号模型回顾 14.2反相放大器——共射极和共源极电路 14.2.1共发射极(CE)放大器 14.2.2共发射极实例的比较 14.2.3共源极放大器 14.2.4共源极放大器的小信号范围 14.2.5共发射极和共源极放大器特性 14.2.6CE/CS放大器小结 14.2.7通用CE/CS晶体管的等效晶体管表示 14.3跟随器电路——共集电极和共漏极放大器 14.3.1端电压增益 14.3.2输入电阻 14.3.3信号源电压增益 14.3.4跟随器信号范围 14.3.5跟随器的输出电阻 14.3.6电流增益 14.3.7CC/CD放大器小结 14.4同相放大器——共基极和共栅极电路 14.4.1端电压增益和输入电阻 14.4.2信号源电压增益 14.4.3输入信号范围 14.4.4集电极和漏极端的电阻 14.4.5电流增益 14.4.6同相放大器的总体输入和输出电阻 14.4.7CB/CG放大器小结 14.5放大器原型回顾和比较 14.5.1双极型晶体管放大器 14.5.2FET放大器 14.6采用MOS反相器的共源极放大器 14.6.1电压增益估算 14.6.2详细分析 14.6.3其他可选负载 14.6.4输入和输出电阻 14.7耦合和旁路电容设计 14.7.1共发射极和共源极放大器 14.7.2共集电极和共漏极放大器 14.7.3共基极和共栅极放大器 14.7.4设置下限截止频率fL 14.8放大器设计实例 14.8.1共基极放大器设计的蒙特卡洛分析 14.9多级交流耦合放大器 14.9.1三级交流耦合放大器 14.9.2电压增益 14.9.3输入电阻 14.9.4信号源的电压增益 14.9.5输出电阻 14.9.6电流和功率增益 14.9.7输入信号范围 14.9.8估算多级放大器的截止频率下限小结关键词扩展阅读习题第15章差分放大器和运算放大器设计 15.1差分放大器 15.1.1双极型和MOS差分放大器 15.1.2双极型差分放大器的直流分析 15.1.3双极型差分放大器的传输特性 15.1.4双极型差分放大器的交流分析 15.1.5差模增益以及输入和输出电阻 15.1.6共模增益和输入电阻 15.1.7共模抑制比（CMRR） 15.1.8差模和共模的半电路分析 15.1.9电流源的偏置 15.1.10在SPICE中为电子电流源建模 15.1.11MOSFET差分放大器的直流分析 15.1.12差模输入信号 15.1.13MOS差分放大器的小信号传输特性 15.1.14共模输入信号 15.1.15差分对模型 15.2基本运算放大器的演进 15.2.1运算放大器的两级原型 15.2.2提高运算放大器的电压增益 15.2.3达林顿对 15.2.4减小输出电阻 15.2.5CMOS运算放大器原型 15.2.6BiCMOS放大器 15.2.7全晶体管实现电路 15.3输出级 15.3.1源极跟随器——A类输出级 15.3.2A类放大器的效率 15.3.3B类推挽输出级 15.3.4AB类放大器 15.3.5运算放大器的AB类输出级 15.3.6短路保护 15.3.7变压器耦合 15.4电子电流源 15.4.1单晶体管电流源 15.4.2电路源的品质因数 15.4.3高输出电阻电流源 15.4.4电流源设计实例小结关键词参考文献补充阅读习题第16章模拟集成电路设计技术 16.1电路元件匹配 16.2电流镜 16.2.1MOS晶体管电流镜的直流分析 16.2.2改变MOS镜像比率 16.2.3双极型晶体管电流镜的直流分析 16.2.4改变BJT电流镜的镜像比率 16.2.5多级电流源 16.2.6缓冲电流镜 16.2.7电流镜像的输出阻抗 16.2.8电流镜的二端口模型 16.2.9Widlar电流源 16.2.10MOS管Widlar电流源 16.3高输出电阻电流镜 16.3.1Widlar电流源 16.3.2Wilson电流源的输出电阻 16.3.3Cascode电流源 16.3.4Cascode电流源的输出电阻 16.3.5可调Cascode电流源 16.3.6电流镜小结 16.4参考电流的产生 16.5与电源电压无关的偏置 16.5.1基于VBE的参考源 16.5.2Widlar电流源 16.5.3与电源电压无关的偏置单元 16.5.4与电源电压无关的MOS参考单元 16.6带隙基准源 16.7电流镜作为有源负载 16.7.1带有源负载的CMOS差分放大器 16.7.2带有源负载的双极差分放大器 16.8运算放大器中的源负载 16.8.1CMOS运算放大器电压增益 16.8.2直流设计注意事项 16.8.3双极型运算放大器 16.8.4输入级击穿 16.9μA741运算放大器 16.9.1电路总体工作原理 16.9.2偏置电路 16.9.3μA741输入级的直流分析 16.9.4μA741输入级的交流分析 16.9.5整体放大器的电压增益 16.9.6μA741的输出级 16.9.7输出阻抗 16.9.8短路保护电路 16.9.9μA741运算放大器特性小结 16.10Gilbert模拟乘法器小结关键词参考文献习题第17章放大器频率响应 17.1放大器频率响应 17.1.1低频响应 17.1.2缺少主极点情况下估算ωL 17.1.3高频响应 17.1.4缺少主极点情况下估算ωH 17.2直接确定低频极点和零点——共源放大器 17.3用短路时间常数法估算ωL的值 17.3.1估算共发射极放大器的ωL 17.3.2估算共源极放大器的ωL 17.3.3估算共基极放大器的ωL 17.3.4估算共栅极放大器的ωL 17.3.5估算共集电极放大器的ωL 17.3.6估算共漏极放大器的ωL 17.4高频晶体管模型 17.4.1双极型晶体管与频率相关的混合π模型 17.4.2在SPICE中对Cπ和Cμ建模 17.4.3单位增益频率fT 17.4.4FET的高频模型 17.4.5运用SPICE为CGS和CGD建模 17.4.6fT与沟道长度的关系 17.4.7高频模型的局限性 17.5混合π模型中的基区电阻 17.5.1基区电阻对中频放大器的影响 17.6共发射极和共源极放大器的高频响应 17.6.1密勒效应 17.6.2共发射极和共源极放大器的高频响应 17.6.3共发射极放大器传输特性的直接分析 17.6.4共发射极放大器的极点 17.6.5共源极放大器的主极点 17.6.6用开路时间常数法估算ωH 17.6.7包含源极衰减电阻的共源放大器 17.6.8包含发射极衰减电阻的共发射极放大器的极点 17.7共基极和共栅极放大器的高频响应 17.8共集电极和共漏极放大器的高频响应 17.8.1互补射极跟随器的频率响应 17.9单级放大器高频响应小结 17.9.1放大器的增益带宽限制 17.10多级放大器的频率响应 17.10.1差分放大器 17.10.2共集电极/共基极串联 17.10.3Cascode放大器的高频响应 17.10.4电流镜的截止频率 17.10.5三级放大器实例 17.11射频电路介绍 17.11.1射频放大器 17.11.2并联峰化放大器 17.11.3单级调谐放大器 17.11.4抽头电感的运用——自耦变压器 17.11.5多级调谐电路——同步调谐和参差调谐 17.11.6包含衰减电感的共源放大器 17.12混频器和平衡调制器 17.12.1混频器工作原理简介 17.12.2单平衡混频器 17.12.3差分对实现的单平衡混频器 17.12.4双平衡混频器 17.12.5JONES混频器——双平衡混频器/调制器小结关键词参考文献习题第18章晶体管反馈放大器与振荡器 18.1基本反馈系统回顾 18.1.1闭环增益 18.1.2闭环阻抗 18.1.3反馈的作用 18.2反馈放大器的中频分析 18.2.1闭环增益 18.2.2输入电阻 18.2.3输出电阻 18.2.4偏移电压计算 18.3反馈放大器电路举例 18.3.1串并反馈(电压串联反馈) ——电压放大器 18.3.2差分输入串并电压放大器 18.3.3并并反馈（电压并联反馈）—— 跨阻放大器 18.3.4串串反馈(电流串联反馈)——跨导放大器 18.3.5并串反馈（电流并联反馈）——电流放大器 18.4反馈放大器稳定性回顾 18.4.1未补偿放大器的闭环响应 18.4.2相位裕度 18.4.3高阶效应 18.4.4补偿放大器响应 18.4.5小信号限制 18.5单极点运算放大器补偿 18.5.1三级运放分析 18.5.2场效应管运放的传输零点 18.5.3双极性放大器补偿 18.5.4运算放大器的摆率 18.5.5摆率与增益带宽积之间的关系 18.6高频振荡器 18.6.1Colpitts 振荡器 18.6.2Hartley 振荡器 18.6.3LC振荡器的幅值稳定 18.6.4振荡器中的负阻 18.6.5负Gm振荡器 18.6.6晶体振荡器小结关键词参考文献习题附录附录A标准离散元件参数附录B固态器件模型及SPICE 仿真参数附录C二端口网络回顾

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清华开发者书库深入理解微电子电路设计——电子元器件、数字电路、模拟电路原理及应用(原书第5版) 作者简介

[美] 理查德·C.耶格（Richard C. Jaeger）美国佛罗里达大学电气工程专业博士，奥本大学电气与计算机工程系资深教授，1995年被任命为研究生院杰出导师，主要研究领域为固态电路和器件、电子封装、压阻应力传感器、低温电子设备、VLSI设计以及电子设备和电路中的噪声等。 [美] 特拉维斯·N.布莱洛克（Travis N. Blalock）美国弗吉尼亚大学电气与计算机工程系教授。

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