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模拟集成电路的分析与设计 第4版 翻译版

模拟集成电路的分析与设计 第4版 翻译版

出版社:高等教育出版社出版时间:2011-01-20
开本: 16开 页数: 820
本类榜单:工业技术销量榜
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模拟集成电路的分析与设计 第4版 翻译版 版权信息

模拟集成电路的分析与设计 第4版 翻译版 本书特色

  权威性——教育部高等教育司推荐、教育部高等学校信息科学与技术引进教材专家组遴选   系统性——覆盖电子信息、通信类专业主干课程   先进性——著名通信专家近两年的*新著作,内容体系先进   经济性——价格与国内自编教材相当,是国内引进教材价格*低的。   本书的主要内容包括:集成电路的有源器件模型,双极型、mos、bicmos集成电路技术,单晶体管和多晶体管放大器,电流镜、有源负载及其电压和电流参考值,输出的运算放大器,集成电路的频率响应,反馈,反馈放大器的频率响应与稳定性,非线性模拟电路,集成电路中的噪声,全差分运算放大器。本书可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。

模拟集成电路的分析与设计 第4版 翻译版 内容简介

  本书介绍模拟集成电路的分析与设计。全面阐述了模拟集成电路的基本原理和概念,同时还阐述了模拟集成电路的新技术和新全书共十二章。前七章介绍了集成电路放大器件模型,双极型、mos和bicmos集成电路技术,单级放大器与多级放大器,镜像电流源、有源负载和基准源,输出级,单端输出的运算放大器以及集成电路的频率呼应第八、九章介绍了反馈,反馈放大器的频率呼应和稳定性,第十章至十二章介绍了非线性模拟电路,集成电路的噪声和全差分运算广大器。   本书是现代模拟集成电路分析与设计的教材或参考书。既可以作为研究生或高年级本科生的教科书,也可作 应用工程的参考书,同时又是一本比较全面、系统的模拟集成电路方面的专著。

模拟集成电路的分析与设计 第4版 翻译版 目录

**章 集成电路放大器件模型
 1.1 引言
 1.2 pn结的耗尽区
  1.2.1 势垒电容
  1.2.2 结击穿
 1.3 双极型晶体管的大信号特性
  1.3.1 正向放大区的大信号模型
  1.3.2 集电极电压对正向放大区大信号特性的影响
  1.3.3 饱和区和反向放大区
  1.3.4 晶体管击穿电压
  1.3.5 工作条件决定晶体管电流增益
 1.4 双极型晶体管的小信号模型
  1.4.1 跨导
  1.4.2 基区寄生电容
  1.4.3 输入电阻
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